FDD6630A
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDD6630A |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 21A TO252 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.76 |
10+ | $0.672 |
100+ | $0.5149 |
500+ | $0.407 |
1000+ | $0.3256 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 7.6A, 10V |
Verlustleistung (max) | 28W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 462 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Ta) |
Grundproduktnummer | FDD6630 |
FDD6630A Einzelheiten PDF [English] | FDD6630A PDF - EN.pdf |
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2024/08/24
2024/07/9
2024/08/22
2024/01/25
FDD6630Aonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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